فناوری ساخت مدارهای مجتمع- قسمت سوم
فناوری ساخت مدارهای مجتمع- قسمت سوم
اکسیداسیون یکی از مراحل ساخت مدارهای مجتمع است که این امکان را به ما می دهد تا بتوانیم روی پایه ی سیلیسیوم، گیت را بنا کنیم. در بسیاری از مراحل ساخت مدار مجتمع، باید آلاینده‌ها به طور انتخابی وارد ویفر شوند. رایج‌ترین روش افزودن آلاینده روش «کاشت یونی» است که به وسیله‌ی آن اتم‌های آلاینده به صورت یک پرتوی متمرکزِ پر انرژی شتاب داده می‌شود و به سطح ویفر برخورد کرده و در نواحی بدون پوشش نفوذ می‌کند. ساخت مدار مجتمع نیاز به نشاندن مواد مختلفی نظیر پلی‌سیلیکون دارد. یک روش رایج برای تشکیل پلی‌سیلیکون روی لایه‌های ضخیم عایق، روش لایه‌نشانی با بخار شیمیایی (CVD) است. زدایش مواد نیز یک گام حیاتی است. بسته به سرعت، دقت و قابلیت انتخاب لازم در مرحله‌ی زدایش و نوع ماده‌ای که باید زدوده شود، یکی از این روش‌ها را می‌توان به کار برد:
1. زدایشِ تر: یعنی ویفر در یک مایع شیمیایی قرار می‌گیرد. (دقت کمی دارد)
2. زدایش با پلاسما: که در آن ویفر با گاز پلاسما بمباران می‌شود. (دقت بالایی دارد)
3. زدایش با یون واکنش دهنده: که در آن یون‌های تولید شده در گاز، ویفر را بمباران می‌کنند.
1. زدایشِ تر: یعنی ویفر در یک مایع شیمیایی قرار می‌گیرد. (دقت کمی دارد)
2. زدایش با پلاسما: که در آن ویفر با گاز پلاسما بمباران می‌شود. (دقت بالایی دارد)
3. زدایش با یون واکنش دهنده: که در آن یون‌های تولید شده در گاز، ویفر را بمباران می‌کنند.
یکی از این فرآیندهای نهایی ساخت مدار مجتمع، ایجاد اتصال روی پلی‌سیلیکون و نواحی فعال (منظور سورس، درین و نواحی n+ و P+ است) می‌باشد. آخرین مرحله در ساخت، پوشاندن ویفر با یک لایه‌ی شیشه یا غیر فعال است که سطح را از خطرات ناشی از حمل و نقل مکانیکی و برش مصون می‌دارد.
ادامه مطلب
